作为半导体行业巨头，三星在存储、闪存、液晶屏、OLED等方面都有着不错的竞争力，但在半导体制造上，却一直有一个强有力的竞争对手——台积电。目前来看，在7nm和5nm制程上，台积电的发展显然更快一些，三星则略逊一筹。
为了在短时间内“超车”台积电，三星可谓卯足了劲。此前有报道指出，三星已决定跳过4nm直接跃至3nm，而为了实现这一计划，该公司还打算“效仿”台积电，赴美建厂。
斥资1100亿！台积电后，三星也要赴美建厂？
英国媒体2月5日消息，根据美国德克萨斯州（德州）官员收到的文件，三星正考虑在德州首府奥斯汀斥资170亿美元（约合人民币1100亿元）建设一个新的芯片工厂。按照文件内容，若奥斯汀被选中，则新工厂2021年二季度便将破土动工，2023年第三季度便可投入运营，届时便可为当地创造1800个工作岗位。
另外，据知情人士透露，除了奥斯汀外，三星还在凤凰城及其周边寻找两个合适的地点，但若奥斯汀市应允为三星提供20年合计8.055亿美元（约合人民币52亿元）的税收减免，则其成为最终选址的机会将大大提升。
事实上，近年来，三星一直在增加半导体领域的投资，2019年，该公司还宣布将在未来10年投资1160亿美元用于外包芯片和非存储芯片的制造。研究公司Counterpoint分析师指出，此次计划赴美建厂很可能便是该计划的初步阶段。据悉，自2019年以来，三星便一直在考察美国。
且根据行业人士预测，若三星在美工厂选址确定，并正式投入运营，则新工厂将服务于美国的无工厂芯片专业公司，例如AMD、英伟达等。
值得一提的是，三星赴美建厂尚未“官宣”，台积电赴美建厂却已“提上日程”。据悉，2020年5月，台积电便宣布将在美国亚利桑那州投资120亿美元建立 5nm 晶圆厂，规划月产能为20000片，该晶圆厂将于2021年动工，于2024正式投入运营。
除此之外，2021年1月，台积电还宣布，将投资约200亿美元用于3nm、5nm、7nm等先进制程的研发。基于此，市场还有声音称，相比台积电，三星已“落后一步”了。
超80%产能在亚洲，美国半导体“痛点”意外暴露！
台积电及三星先后决定赴美建厂，虽与半导体行业的先进制程竞争有关，但也意外暴露了美国芯片产业的痛点——制造领域严重“掉队”。据悉，两家公司赴美建厂都是因为受到了美国政府的再三邀请。
美国的“掉队”主要体现在两大方面，一是工艺制造的落后。台积电作为全球晶圆制造龙头企业，目前已掌握5nm，正向3nm进军，而美企却还停留在7nm阶段，以英特尔为例，2020年，该公司的市值还因7nm的推迟发布蒸发近400亿美元。
二是晶圆厂的建造落后。SEMI的数据显示，2010年，美国共有81个芯片制造工厂，然而到了2020年，这一数据便只剩下76个。作为参考，目前我国在建的新晶圆厂就多达12个。
工艺跟不上、芯片工厂也越来越少，芯片制造产能自然也占比不高。据半导体协会公布的数
据，截至目前，全球半导体有超过80%的产能都在亚洲，美国占比不到12%，而在1990年，这一数字达37%。
可以说，制造已成为美国半导体行业中相对薄弱的一环，虽然吸引台积电、三星等巨头赴美建厂可一定程度缓解这一困境，但在亚洲半导体制造遥遥领先的情况下，美国想要“逆转”形势，还有很长的路要走。